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發(fā)布信息

Atmel 驅(qū)動(dòng)器/高溫集成電路

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品牌: Atmel
單價(jià): 面議
所在地: 上海
有效期至: 長(zhǎng)期有效
最后更新: 2020-07-14 15:21
瀏覽次數(shù): 276
詢價(jià)
店鋪基本資料信息
 
產(chǎn)品詳細(xì)說(shuō)明
 如果構(gòu)建“引擎罩內(nèi)”的系統(tǒng),設(shè)計(jì)上不能有絲毫馬虎。高溫、強(qiáng)機(jī)械振動(dòng)和變動(dòng)的電磁場(chǎng)環(huán)境要求產(chǎn)品架構(gòu)經(jīng)過(guò)數(shù)十年的考驗(yàn)、制造工藝精細(xì)并經(jīng)過(guò)可靠測(cè)試。

Atmel 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系列面向有刷及無(wú)刷直流電機(jī),這種電機(jī)不僅在標(biāo)準(zhǔn)溫度下工作,還在苛刻的高溫引擎環(huán)境下工作。各種組合集成了高端和低端輸出級(jí),您可以根據(jù)客戶需求輕松地調(diào)整解決方案。

我們的驅(qū)動(dòng)系列產(chǎn)品包括直接從輸出級(jí)控制的小型直流電機(jī)集成電路以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片,集成了可控制單獨(dú)的、任意體積的 NMOSFET 的門電路驅(qū)動(dòng)或前級(jí)驅(qū)動(dòng)。

關(guān)鍵特性

  • 堅(jiān)實(shí)的設(shè)計(jì) — Atmel 獨(dú)特的 BCD-on-SOI 架構(gòu)將高壓能力與堅(jiān)實(shí)的 SOI 技術(shù)優(yōu)勢(shì)相結(jié)合:耐高溫(T 型聯(lián)結(jié)點(diǎn)溫度高達(dá) 200°C)、出色的抗輻射能力、極低的泄露電流、低寄生效應(yīng)、高開(kāi)關(guān)頻率和抗閂鎖度。
  • 成本效益高的集成電路 — Atmel 驅(qū)動(dòng)集成電路需要很少的外部元件,因?yàn)?LIN 連接和診斷能力均已內(nèi)置在集成電路內(nèi)。嵌入式功能可以節(jié)省您集成和故障排除的時(shí)間,并降低硬件成本。
  • 內(nèi)置保護(hù) — 所有 Atmel 驅(qū)動(dòng)都有相同的保護(hù)功能,例如過(guò)溫警告和斷開(kāi)、低壓、過(guò)電流、短路和開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)。
  • 廣泛的技術(shù)支持 — 演示和評(píng)估工具包、詳細(xì)文檔和參考設(shè)計(jì)以及經(jīng)驗(yàn)豐富的 Atmel 應(yīng)用工程師提供的幫助,使您快速開(kāi)始設(shè)計(jì)并加快產(chǎn)品面市時(shí)間。

器件

器件系列 優(yōu)勢(shì)摘要 應(yīng)用 技術(shù) 關(guān)鍵參數(shù)
高溫和高壓能力 

小尺寸 

改進(jìn)的抗閂鎖度 

低泄漏電流 

高達(dá) 200°C 的聯(lián)結(jié)點(diǎn)溫度和 150°C 的環(huán)境溫度
電機(jī)控制

Atmel 0.8µm SOI 技術(shù) SMART-I.S.™

3 - 6 個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)級(jí) 

高達(dá) 1.0 安培
 
自由配置 

標(biāo)準(zhǔn)串行數(shù)據(jù)接口 

高端和低端驅(qū)動(dòng)級(jí)通過(guò)半橋或 H 橋在 計(jì)算機(jī)板上連接。
電機(jī)控制

 

獨(dú)立驅(qū)動(dòng)級(jí) 

高達(dá) 1.5 安培