核心提示:
眾所周知,晶體管要分成多種類型。其中,MOSFET作為基礎器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應用。但是目前使用的場效應管存在兩個被學術界稱為PN結(jié)的結(jié)構(gòu)。正常工作時源極和襯底間的PN結(jié)始終處于正向?qū)顟B(tài),所以在一般情況下,場效應管的源極和襯底是連接在一起的,由此源極和襯底間的PN結(jié)并沒有在電路中起作用。
據(jù)相關研究人員介紹,他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破,發(fā)明了一種名為單PN結(jié)的新型基礎電子器件。
他們據(jù)此提出了一項專*申請,制造一種只有一個PN結(jié)的場效應管,能夠完全取代現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的場效應管、簡化場效應管的結(jié)構(gòu)、降低成本并提高集成度。
相關研究人員表示,“單PN結(jié)場效應管只需改變相應設計,完全能夠在現(xiàn)有標準的CMOS生產(chǎn)線上成功制造出來,希望能夠有設計和制造伙伴與我們進行對接,盡快向產(chǎn)業(yè)化推進!