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IDT首款DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器推出

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-20     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):229
核心提示:

  IDT公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動及嵌入式計算系統(tǒng)以最高效率運行,通過監(jiān)測各子系統(tǒng)的溫度來節(jié)省總電力,提高可靠性和性能。 
  
  全新的IDT溫度傳感器可測量計算子系統(tǒng)的局部溫度,一旦溫度上升超過預(yù)定水平,系統(tǒng)控制器就會通過控制系統(tǒng)帶寬、調(diào)整內(nèi)存刷新率或改變風(fēng)扇速度進(jìn)行響應(yīng)。此外,如果溫度達(dá)到臨界點,新的IDT溫度傳感器可以觸發(fā)一個子系統(tǒng)關(guān)閉,從而提高可靠性。IDT 的產(chǎn)品包括一個獨立溫度傳感器,以及一個集成在單片片芯上的非易失內(nèi)存用戶信息的256字節(jié) EEPROM陣列,如內(nèi)存模塊的串行存在探測(SPD)的系統(tǒng)配置信息。
  
  全新的IDT溫度傳感器系列是首款超過了美國電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合會為B級別溫度傳感器規(guī)定的JC42.4規(guī)范要求的產(chǎn)品,可在-20~+125℃之間的整個溫度范圍內(nèi)提供 ±1℃的溫度傳感精度,從而提供了更好的系統(tǒng)精度。該器件還集成了一個創(chuàng)新的模數(shù)轉(zhuǎn)換器,可提供高達(dá)12位的可編程分辨率和業(yè)界領(lǐng)先的轉(zhuǎn)換時間,大大改進(jìn)了整個溫度范圍熱控回路的整體精度。
  
  IDT企業(yè)計算部副總裁兼總經(jīng)理Mario Montana表示:“眾所周知,IDT與客戶攜手合作,在先進(jìn)內(nèi)存緩沖器和PCI Express交換器中集成了嵌入式溫度傳感器,這樣我們就可以為客戶帶來空前的電力節(jié)省,與我們PowerSmart 理念相符。新器件進(jìn)一步使精度超過行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的獨立溫度傳感器專長發(fā)揮到了極致。”
  
  此外,溫度傳感器完全支持SMBus 和I2C編程接口,包括SMBus超時和I2C快速模式、輸入干擾過濾和上電滯后——所有這些都旨在提高容錯能力。這種性能與功能結(jié)合使IDT 器件改善了每瓦性能,是強(qiáng)大計算系統(tǒng)的理想之選。

  供貨
  
  IDT 溫度傳感器件已向合格客戶提供樣品。器件采用符合 RoHs 規(guī)范的 8 引腳 DFN 和 TDFN 封裝。

 

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