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高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-21     來(lái)源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):125
核心提示:

  0 引言

  電源管理技術(shù)近幾年已大量應(yīng)用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對(duì)低壓差線性穩(wěn)壓器進(jìn)行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個(gè)基本部分,用以提供穩(wěn)定的電壓源。它們屬于改進(jìn)效率的線性穩(wěn)壓器。通過(guò)采用共漏功率管來(lái)替代常規(guī)線性穩(wěn)壓器的共源功率管,并以此來(lái)降低最小電壓降,改善電源效率。由于功率管上的較小壓降降低了功率消耗,從而使得低壓降線性穩(wěn)壓器在低電壓、片內(nèi)集成的電源管理系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用。

  要滿足常規(guī)線性穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性要求,通常需要一個(gè)微法量級(jí)的片外電容。而較大的微法級(jí)電容在現(xiàn)今設(shè)計(jì)工藝下還不能實(shí)現(xiàn),因此,每個(gè)線性穩(wěn)壓源都需要一個(gè)板級(jí)片外電容。為了解決這個(gè)問(wèn)題,本文提出了一種無(wú)片外電容的線性穩(wěn)壓源方案。該設(shè)計(jì)移除了大的片外電容,同時(shí)在各種工作條件下都能保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。除去了大的片外電容不僅被降低板級(jí)封裝成本,同時(shí)也可降低整個(gè)設(shè)計(jì)的成本,還有利于片內(nèi)集成的設(shè)計(jì)。

  1 電路原理

  由于本電源轉(zhuǎn)換器無(wú)片外電容,因此設(shè)計(jì)有兩個(gè)主要難題:一是過(guò)沖電壓的瞬態(tài)響應(yīng),二是轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性問(wèn)題。為了解決這些問(wèn)題,本文采用偽密勒電容來(lái)提高多級(jí)運(yùn)放的穩(wěn)定性。

  1.1 瞬態(tài)響應(yīng)補(bǔ)償

  在無(wú)片外電容電壓轉(zhuǎn)換器里,小的片內(nèi)輸出負(fù)載電容Cout就不能作為主極點(diǎn),因而必須外推到高頻極點(diǎn)。因此,主極點(diǎn)必須在差分運(yùn)放環(huán)路中,同時(shí)瞬態(tài)響應(yīng)信號(hào)必須通過(guò)環(huán)路的主極點(diǎn)。圖1所示是線性穩(wěn)壓器和電路結(jié)構(gòu)。圖中,主極點(diǎn)的等效輸入電容為CG(≈CGS+ApassCGD+C1),差分運(yùn)放的輸出阻抗R 可使電流轉(zhuǎn)化為電壓。當(dāng)輸出電流產(chǎn)生階躍時(shí),只有在經(jīng)過(guò)一定的延遲時(shí)間tp之后,柵電壓Vg足夠接近它的穩(wěn)態(tài)電壓時(shí),功率管才能提供所需的電流。差分運(yùn)放的寄生極點(diǎn)必須外推到高頻(這樣可以降低這些極點(diǎn)對(duì)于時(shí)延的影響),線性穩(wěn)壓源的速度主要決定于gmerror/CG所影響的傳播延遲時(shí)間tp,其中,gmerror是差分運(yùn)放輸人的小信號(hào)跨導(dǎo)。由于環(huán)路帶寬的限制,由差分運(yùn)放反饋的環(huán)路不能很快的驅(qū)動(dòng)功率管的柵級(jí),因此,設(shè)計(jì)時(shí)需要一個(gè)環(huán)路來(lái)加速功率管柵級(jí)電流的注入。


[$page]  圖 1中的微分器是一個(gè)輔助的快通路,可以作為補(bǔ)償電路而成為本線性穩(wěn)壓源的核心組成部分。微分器不僅可提供一個(gè)快速瞬態(tài)檢測(cè)通路,而且還可作為交流穩(wěn)定性補(bǔ)償。實(shí)際上,可以簡(jiǎn)單地把耦合網(wǎng)絡(luò)理解為一個(gè)單位增益電流緩沖器。Cf感應(yīng)的輸出電壓變化可轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)if,然后通過(guò)耦合網(wǎng)絡(luò)注入到功率管的柵電容。補(bǔ)償電路分離極點(diǎn),類似于常規(guī)的密勒補(bǔ)償結(jié)構(gòu),也可以改善環(huán)路的速度。假設(shè)負(fù)載階躍電流為△ILOAD,那么,它將產(chǎn)生一個(gè)輸出電壓紋波△VOUT,同時(shí) Cf流過(guò)的電流對(duì)Cg進(jìn)行沖放電,從而改變MP管的漏電流來(lái)補(bǔ)償△ILOAD,并最終使Vout回到其穩(wěn)定點(diǎn)。減小輸出紋波所需耦合電容的數(shù)值可以通過(guò)分析圖1中的電路得到。假設(shè)流過(guò)RF1和Rf2的電流忽略不計(jì),那么功率管柵電壓的變化所對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電流為:


  對(duì)于一個(gè)電流幅度為0~50 mA,最大輸出紋波電壓為100 mV的線性穩(wěn)壓器來(lái)說(shuō),假設(shè)Gmp=50 mA/V,CG=5 pF,補(bǔ)償電容Cf為10CG=50 pF;那么,耦合電容的取值就必須保證在無(wú)負(fù)載或者最小Gmp時(shí)都能保持最小的輸出紋波。因此,負(fù)載瞬態(tài)工作電流從低到高變化時(shí),需要更多的耦合電容。

  很明顯,所需的耦合電容太大不利于片內(nèi)集成。所以,需要一種減小Cf大小并保持有效耦合電容的技術(shù)。為了分析電路,圖2給出了一個(gè)簡(jiǎn)單的開(kāi)環(huán)等效電路圖。如果電阻的阻抗相比于電容要小的話,那么流過(guò)電容的電流通過(guò)電阻RZ將轉(zhuǎn)化為電壓,然后通過(guò)Gmf再轉(zhuǎn)化為電流。由偽微分電路構(gòu)成的輔助電路可通過(guò)以下方式來(lái)提高有效補(bǔ)償電容:


  在上述表達(dá)式中,假設(shè)寄生極點(diǎn)1/RzCf位于高頻范圍。Gmf的作用將體現(xiàn)在兩個(gè)方面:第一是Cf可以通過(guò)GmfRz來(lái)減小其數(shù)量級(jí),第二是可消除Cf容所引起的前饋通路的影響。

  1.2 交流穩(wěn)定性分析

傳輸函數(shù)可以通過(guò)圖2(b)得到。將差分器的寄生極點(diǎn)1/RzCf外推到環(huán)路單位增益帶寬外,同時(shí)忽略其影響,并假設(shè)米勒電容CG=Cgs+Apass-CGD,然后利用標(biāo)準(zhǔn)電路分析模型,即可得到開(kāi)環(huán)傳輸函數(shù)為:

[$page]  上述等式描述了微分器的理想效果和準(zhǔn)米勒補(bǔ)償。通過(guò)假設(shè)CfRzGmfR1GmpRout>>CoutRout1+CGR1,可以簡(jiǎn)化零極點(diǎn)的位置。從而得到:

  正如我們所希望的,差分器可以分離功率管的輸入極點(diǎn)和輸出極點(diǎn),但它并不引入右半平面的零點(diǎn)。而高頻耦合回路增益GmfRz則可保證兩個(gè)極點(diǎn)足夠遠(yuǎn)并使得線性穩(wěn)壓源的工作穩(wěn)定。

  圖3所示是一個(gè)完整的小信號(hào)電路模型,該模型將差分器修改為晶體管模型應(yīng)用。它增加了一個(gè)二級(jí)差分運(yùn)放級(jí)GmE。補(bǔ)償電路由微分器(Cf,RF和Gmf1)和附加跨倒運(yùn)放Gmf2來(lái)增加反饋增益,從而得到更大的等效電容 Cf,eff(≈Gmf2RfCf)。這個(gè)反饋環(huán)路中還包括反饋

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