一、 S7-200PLC內部RS485接口電路圖：
圖中R1、R2是阻值為10歐的普通電阻，其作用是防止RS485信號D+和D-短路時產生過電流燒壞芯片，Z1、Z2是鉗制電壓為6V，最大電流為10A的齊納二極管，24V電源和5V電源共地未經隔離，當D+或D-線上有共模干擾電壓灌入時，由橋式整流電路和Z1、Z2可將共模電壓鉗制在±6.7V，從而保護RS485芯片SN75176（RS485芯片的允許共模輸入電壓范圍為：-7V～+12V）。該保護電路能承受共模干擾電壓功率為60W，保護電路和芯片內部沒有防靜電措施。

                            
二、常發(fā)生的故障現(xiàn)象分析：
    當PLC的RS485口經非隔離的PC/PPI電纜與電腦連接、PLC與PLC之間連接或PLC與變頻器、觸摸屏等通信時時有通信口損壞現(xiàn)象發(fā)生，較常見的損壞情況如下：
    R1或R2被燒斷，Z1、Z1和SN75176完好。這是由于有較大的瞬態(tài)干擾電流經R1或R2、橋式整流、Z1或Z1到地，Z1、Z2能承受最大10A電流的沖擊，而該電流在R1或R2上產生的瞬態(tài)功率為：102×10=1000W，當然會將其燒斷。
    SN75176損壞，R1、R2和Z1、Z2完好。這主要可能是受到靜電沖擊或瞬態(tài)過電壓速度快于Z1、Z2的動作速度造成的，靜電無處不在，僅人體模式也會產生±15kV的靜電。
    Z1或Z2、SN75176損壞，R1和R2完好。這可能是受到高電壓低電流的瞬態(tài)干擾電壓將Z1或Z2和SN75176擊穿，由于電流較小和發(fā)生時間較短因而R1、R2不至于發(fā)熱燒斷。
    由以上分析得知PLC接口損壞的主要原因是由于瞬態(tài)過電壓和靜電造成，產生瞬態(tài)過電壓和靜電的原因很多也較復雜，如由于PLC內部24V電源和5V電源共地，24V電源的輸出端子L+、M為其它設備混合供電可能導致地電位變化，從而造成共模電壓超出允許范圍。所以EIA-485標準要求將各個RS485接口的信號地用一條低阻值導線連接在一起以保證各節(jié)點的地電位相等，消除地線環(huán)流！
    當帶電插拔未隔離的連接電纜時，由于兩端電位不相等電路中又存在諸多電感、電容之類的器件，插拔瞬間必然產生瞬態(tài)過電壓或過電流。
    連接在RS485總線上的其它設備產生的瞬態(tài)過電壓或過電流同樣會流入到PLC，總線上連接的設備站點數(shù)越多，產生瞬態(tài)過電壓的因素也越多。
    當通信線路較長或有室外架空線時，雷電必然會在線路上造成過電壓，其能量往往是巨大的，常有用戶沮喪地說：“聯(lián)網(wǎng)的幾十臺PLC全部遭打壞了！”。
三、 解決辦法：
1、從PLC內部考慮：
    采用隔離的DC/DC將24V電源和5V電源隔離，我們分析了三菱、歐姆龍、施耐德PLC以及西門子的PROFIBUS接口均是如此。
    選用帶靜電保護、過熱保護、輸入失效保護等保護措施完善的高擋次RS485芯片，如：SN65HVD1176D、MAX3468ESA等，這些芯片價格一般在十幾元至幾十元，而SN75176的價格僅為1.5元。
    采用響應速度更快、承受瞬態(tài)功率更大的新型保護器件TVS或BL浪涌吸收器，如P6KE6.8CA的鉗制電壓為6.8V，承受瞬態(tài)功率為500W，BL器件則可抗擊4000A以上大電流沖擊。
    R1和R2采用正溫度系數(shù)的自恢復保險PTC，如JK60-010，正常情況下的電阻值為5歐，并不影響正常通信，當受到浪涌沖擊時，大電流流過PTC和保護器件TVS（或BL），PTC的電阻值將驟然增大，使浪涌電流迅速減小。
2、從PLC外部考慮：
    使用隔離的PC/PPI電纜，盡量不用廉價的非隔離電纜（特別是在工業(yè)現(xiàn)場）。西門子公司早期出產的PC/PPI電纜（6ES7 901-3BF00-0XA0）是不隔離的，現(xiàn)在也改成隔離的電纜了！
PLC的RS485口聯(lián)網(wǎng)時采用隔離的總線連接器，如PFB-G，速率為0～1.5Mbps自動適應，外形和使用方法與西門子非隔離的總線連接相同。
    與PLC聯(lián)網(wǎng)的第三方設備，如變頻器、觸摸屏等的RS485口均使用RS485隔離器BH-485G進行隔離，這樣各RS485節(jié)點之間就無“電”的聯(lián)系，也無地線環(huán)流產生，即使某個節(jié)點損壞也不會連帶其它節(jié)點損壞。
    RS485通信線采用PROFIBUS總線專用屏蔽電纜，保證屏蔽層接到每臺設備的外殼并最后接大地。
對于有架空線的系統(tǒng)，總線上最好設置專門的防雷擊設施。