光伏探測器件以光伏模式工作的光敏器件輸出信號中不含暗電流，僅受二極管本身噪聲的限制，對微弱信號探測特別有利。淺結或大面積二極管是一種容易引入暗電流的結構形式，因此多采用光伏探測模式。VOC和短路電流ISC是以光伏模式工作的光電器件的兩個重要參數，它們與器件的串聯電阻RS和并聯電阻RSh密切相關。

光照條件下光伏探測器等效電路中PN結等效為一個家用梯子輸出電流為IL的恒流源與一個理想二極管的并聯，二極管流過的正向電流即為漏電流ID，等效電路對應的I-V方程為：I=IL-I0-V+IRSRSh（1），其中V+IRS為PN結的正向壓降，I0為反向飽和電流。由式（1）可以求出ISC：ISC=IL-I0-ISCRSRSh（2）。一般，在RS（<18）很小RSh（>1048）很大的情況下，ISC≈IL。同樣可以得到VOC：VOC=kTqln（3），可見，VOC的大小與I0、ISC、RSh的大小有關。

在實驗樣品中，VOC異�，F象集中在硅紫外光伏探測器（UV-110）中，基本參數：n型（111）硅襯底材料電阻率約為80～1208cm；淡硼擴散表面濃度約1017～1018cm-3；結深小于1Lm；有效光敏面積1cm2；光譜響應范圍200～1100nm。

UV-110的工藝流程與普通光敏二極管相同，但為了提高器件在紫外區(qū)的性能，嚴格控制了結深（<1Lm）和淡硼擴散濃度，同時采用了表面鈍化等技術。在結構上增加了淡硼p區(qū)周圍的濃硼環(huán)（p+），以加強對PN結的保護，并方便與鋁電極形成良好的歐姆接觸。根據使用要求，將襯底電極由器件表面引出，為此在濃硼環(huán)外側的襯底材料表面通過磷處理形成高摻雜的n+區(qū)，并通過鋁來形成歐姆接觸電極。這一點是UV-110和其它大多數光敏二極管在結構上的不同之處。