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近日，科技部在北京組織召開了“十一五”國家863計劃“半導體照明工程”重大項目驗收會。
通過項目實施，我國在LED外延材料、芯片制造、器件封裝、關(guān)鍵原材料和應用集成等方面攻克了一批產(chǎn)業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù)，初步形成了從上游材料芯片制備、中游器件封裝及下游集成應用比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系，其中白光LED器件實驗室光效超過130lm/W，產(chǎn)業(yè)化光效超過100lm/W，Si襯底LED光效達到90lm/W，芯片國產(chǎn)化率達到60%。37個“十城萬盞”試點城市實施的示范工程超過2000項，應用的LED燈具超過420萬盞，年節(jié)電超過4億度。
項目的實施帶動了我國半導體照明產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展�！笆晃濉逼陂g，我國半導體照明產(chǎn)業(yè)年均增長率接近35%。2010年，我國半導體照明規(guī)模以上企業(yè)4000余家，產(chǎn)業(yè)規(guī)模由2006年的356億元，提高到1200億元，形成了珠三角、長三角、環(huán)渤海、江西及福建地區(qū)四大半導體照明產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)域。
通過項目實施，我國在LED外延材料、芯片制造、器件封裝、關(guān)鍵原材料和應用集成等方面攻克了一批產(chǎn)業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù)，初步形成了從上游材料芯片制備、中游器件封裝及下游集成應用比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系，其中白光LED器件實驗室光效超過130lm/W，產(chǎn)業(yè)化光效超過100lm/W，Si襯底LED光效達到90lm/W，芯片國產(chǎn)化率達到60%。37個“十城萬盞”試點城市實施的示范工程超過2000項，應用的LED燈具超過420萬盞，年節(jié)電超過4億度。
項目的實施帶動了我國半導體照明產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展�！笆晃濉逼陂g，我國半導體照明產(chǎn)業(yè)年均增長率接近35%。2010年，我國半導體照明規(guī)模以上企業(yè)4000余家，產(chǎn)業(yè)規(guī)模由2006年的356億元，提高到1200億元，形成了珠三角、長三角、環(huán)渤海、江西及福建地區(qū)四大半導體照明產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)域。
