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日立電線新品氮化鎵模板可增強LED特性

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):106
核心提示:
”的底層基板,可以大幅提高白色LED外延片的生產(chǎn)效率、增強LED特性。因此,對于激烈競爭的白色LED制造商而言,該產(chǎn)品有望成為能顯著提升企業(yè)競爭優(yōu)勢的解決方案。

產(chǎn)品市場上的需求正在急劇擴大。白色LED外延片的基本生長方式是,先在藍寶石基板上生長出一層10μm厚的n型GaN層,接著生長一層1μm厚的超薄活性層和p型GaN層(圖2)。在一般的生產(chǎn)工序中,這些晶體層全部采用MOVPE法(注1)實現(xiàn)生長。MOVPE法雖然適用于需要原子級膜厚控制的活性層的生長,但要生長出所需厚度的優(yōu)質(zhì)n型GaN層,則需要花費較長時間。所以,白色LED外延片每天最多只能生長1~2次。因此,如何實現(xiàn)高效率的生產(chǎn)一直是業(yè)界亟待解決的難題。

 

  為了解決這一課題,日立電線開發(fā)出了采用MOVPE法生長的底層基板所使用的GaN模板。

  GaN模板采用在藍寶石基板上生長n型GaN層的結(jié)構(gòu)。通過采用GaN模板,LED制造商將不再需要n型GaN緩沖層的生長工藝,生長所需要的時間也將降至原來的一半左右。此外,采用日立電線生產(chǎn)的GaN模板,還可以同時實現(xiàn)低阻化和高結(jié)晶性,這也同樣適用于需要較大電流的大功率LED。

  此前,日立電線曾開發(fā)出用于藍紫色激光器等設備的單晶GaN自支撐基板,并為了實現(xiàn)該產(chǎn)品的生產(chǎn),推進了基于HVPE(注2)法的獨有結(jié)晶生長技術(shù)的發(fā)展。此次,我們以此項獨有的生長技術(shù)為依托,全新開發(fā)出高質(zhì)量GaN模板的高效生產(chǎn)技術(shù)及設備,構(gòu)建了完備的量產(chǎn)體制。

  GaN模板主要具有以下特點:(1)基于在GaN自支撐基板的開發(fā)過程中積累的生長技術(shù),實現(xiàn)了高結(jié)晶性和高表面質(zhì)量;(2)具備同樣適用于大功率晶片鍵合型LED等的低電阻n型GaN緩沖層(注3;(3)支持表面平坦的藍寶石基板及各種PSS(注4);(4)支持直徑2~6英寸晶片(8英寸晶片的開發(fā)正在計劃中)。

  除以前開發(fā)出的GaN基板和GaN外延片外,日立電線此次又推出了GaN模板產(chǎn)品,今后將進一步強化和擴展GaN產(chǎn)品陣容,以提供可滿足客戶廣泛需求的化合物半導體材料。

  同時,日立電線還將參加于今年5月13~16日在美國新奧爾良市舉辦的CS Mantech(化合物半導體制造技術(shù)國際會議),并在展覽會上進行有關(guān)GaN模板的展示說明。

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