為了解決這一課題,日立電線開發(fā)出了采用MOVPE法生長的底層基板所使用的GaN模板。
GaN模板采用在藍寶石基板上生長n型GaN層的結(jié)構(gòu)。通過采用GaN模板,LED制造商將不再需要n型GaN緩沖層的生長工藝,生長所需要的時間也將降至原來的一半左右。此外,采用日立電線生產(chǎn)的GaN模板,還可以同時實現(xiàn)低阻化和高結(jié)晶性,這也同樣適用于需要較大電流的大功率LED。
此前,日立電線曾開發(fā)出用于藍紫色激光器等設備的單晶GaN自支撐基板,并為了實現(xiàn)該產(chǎn)品的生產(chǎn),推進了基于HVPE(注2)法的獨有結(jié)晶生長技術(shù)的發(fā)展。此次,我們以此項獨有的生長技術(shù)為依托,全新開發(fā)出高質(zhì)量GaN模板的高效生產(chǎn)技術(shù)及設備,構(gòu)建了完備的量產(chǎn)體制。
GaN模板主要具有以下特點:(1)基于在GaN自支撐基板的開發(fā)過程中積累的生長技術(shù),實現(xiàn)了高結(jié)晶性和高表面質(zhì)量;(2)具備同樣適用于大功率晶片鍵合型LED等的低電阻n型GaN緩沖層(注3;(3)支持表面平坦的藍寶石基板及各種PSS(注4);(4)支持直徑2~6英寸晶片(8英寸晶片的開發(fā)正在計劃中)。
除以前開發(fā)出的GaN基板和GaN外延片外,日立電線此次又推出了GaN模板產(chǎn)品,今后將進一步強化和擴展GaN產(chǎn)品陣容,以提供可滿足客戶廣泛需求的化合物半導體材料。
同時,日立電線還將參加于今年5月13~16日在美國新奧爾良市舉辦的CS Mantech(化合物半導體制造技術(shù)國際會議),并在展覽會上進行有關(guān)GaN模板的展示說明。