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德州儀器首推4MB快閃記憶體裝置應(yīng)對(duì)惡劣環(huán)境

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):143
核心提示:
(TI)宣佈推出滿足惡劣環(huán)境的業(yè)界首款高溫非揮發(fā)性快閃記憶體裝置,該SM28VLT32-HT具有4MB工作容量,毋需耗費(fèi)昂貴成本再對(duì)工業(yè)級(jí)元件進(jìn)行產(chǎn)品資料表規(guī)格以外的篩選(up-screening)與認(rèn)證測(cè)試。該裝置不但可在極端溫度下實(shí)現(xiàn)資料記錄,還可確保在如油氣探勘、重工業(yè)以及航空等惡劣環(huán)境應(yīng)用中至少工作1000小時(shí)。

  SM28VLT32-HT主要特性與優(yōu)勢(shì):

  1、最寬泛溫度範(fàn)圍:唯一可在-55C至+210C溫度範(fàn)圍內(nèi)工作的非揮發(fā)性快閃記憶體裝置;

  2、高可靠度:經(jīng)過測(cè)試可在裝置整體工作壽命內(nèi),于整個(gè)溫度範(fàn)圍下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的讀/寫操作;

  3、更短設(shè)計(jì)時(shí)間:無需外部組件,可幫助製造商快速安全地開發(fā)各種可符合惡劣環(huán)境的應(yīng)用,將開發(fā)、測(cè)試與認(rèn)證時(shí)間縮短6個(gè)月;

  4、小型增強(qiáng)型封裝:SM28VLT32-HT可採用陶瓷扁平封裝(ceramicflatpack)或已知良品晶圓(KnownGoodDie;KGD)封裝,允許在多晶片模組中整合小型封裝,充分滿足電路板空間有限的系統(tǒng)需求;

  5、串列介面:SPI介面可簡化設(shè)計(jì)與封裝,減少接腳數(shù)。

  採用8mmx25mm陶瓷扁平封裝的SM28VLT32-HT現(xiàn)已開始提供樣品,將于2013年第1季提供KGD封裝選項(xiàng),并投入量産。

  HTFLASHEVM評(píng)估模組內(nèi)建于增強(qiáng)型電路板,可在更高溫度下實(shí)現(xiàn)更簡易的評(píng)估,該評(píng)估模組現(xiàn)已開始提供。

  SM28VLT32-HT可對(duì)TI全系列類比及嵌入式處理産品形成有力互補(bǔ),充分滿足SM470R1B1M-HTARM7TDMI微控制器與SM320F28335-HTDelfino數(shù)位訊號(hào)控制器等高溫、高可靠度應(yīng)用需求。
 

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