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Microchip推出集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的高電壓模擬降壓PWM控制器

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):113
核心提示:
網(wǎng)訊:Microchip推出集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的高電壓模擬降壓PWM控制器,以及高速、低FOM的MOSFET系列,擴(kuò)展Microchip的電源解決方案產(chǎn)品組合,以更高的集成度實(shí)現(xiàn)更高電壓、更高功率DC/DC應(yīng)用。

和工業(yè)應(yīng)用。這兩個(gè)全新系列彰顯了Microchip對(duì)于其實(shí)現(xiàn)更高電壓、更高效率及行業(yè)趨向的更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)這一承諾的顯著進(jìn)步。

  MCP19035是一個(gè)基于模擬信號(hào)的小型PWM控制器產(chǎn)品系列,集成了同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器,具有出色的瞬態(tài)性能。MCP19035器件可在4.5 - 30VDC的寬范圍內(nèi)工作,開關(guān)頻率為300 kHz,并提供工廠可調(diào)節(jié)的死區(qū)設(shè)置,有助于設(shè)計(jì)人員優(yōu)化眾多MOSFET器件的性能。在與Microchip的MCP87xxx MOSFET或任何低FOM的MOSFET組合時(shí),MCP19035系列能夠?qū)崿F(xiàn)高效的(>96%)DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。

  MCP87xxx系列高速M(fèi)OSFET具有非常低的FOM,采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的5×6 mm和3.3×3.3 mm PDFN封裝。新推出的MCP87022、MCP87050和MCP87055器件分別可提供2.2 mΩ、5.0 mΩ和5.5 mΩ的導(dǎo)通電阻。這些全新MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。

  Microchip模擬與接口產(chǎn)品部營銷副總裁Bryan J. Liddiard表示:"MCP19035系列PWM控制器擴(kuò)大了設(shè)計(jì)工程師使其應(yīng)用達(dá)到電源轉(zhuǎn)換要求可選擇的范圍。其廣泛的工作范圍和集成的高功率同步驅(qū)動(dòng)器能夠支持那些需要一個(gè)基于模擬信號(hào)的快速控制器的高效、高功率密度解決方案。這些器件與Microchip首款高速M(fèi)OSFET產(chǎn)品相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)效率超過96%的快速、高效電源轉(zhuǎn)換解決方案。"

  MCP87xxx MOSFET系列與Microchip現(xiàn)有的專注于SMPS的PIC®單片機(jī)及dsPIC33"GS"數(shù)字信號(hào)控制器產(chǎn)品組合也相輔相成。Microchip的MCP14700同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器非常適合驅(qū)動(dòng)高速、低FOM的MOSFET。當(dāng)由單片機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí),兩者可構(gòu)成一個(gè)靈活的高性能電源轉(zhuǎn)換解決方案。

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