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恩智浦?jǐn)U大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):32
核心提示:

  業(yè)界最豐富的產(chǎn)品組合,采用節(jié)省空間的1 mm x 0.6 mm  封裝,并將有60款雙極性晶體管和12款小信號MOSFET即將面市

  中國上海,7月30日 -- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布擴(kuò)大了其超小型分立式薄型無引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前,恩智浦提供60款雙極性晶體管(BJT)和12款小信號單N/P溝道MOSFET產(chǎn)品,均采用 1-mm x 0.6-mm x0.37-mm  DFN塑料SMD封裝--是業(yè)界提供最小晶體管封裝(DFN1006)最豐富的產(chǎn)品組合。

  新的產(chǎn)品組合包括大量的通用晶體管和開關(guān)晶體管,例如符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的BC847和BC857,以及PMBT3904和PMBT3906。同時,還提供42種可選配電阻晶體管(RETs),涵蓋所有標(biāo)準(zhǔn)電阻組合。

  除了這些標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,恩智浦還提供高能效BJTs和MOSFETs,滿足所有行動通訊應(yīng)用對低功耗和更長電池壽命的需求。晶體管PBSS2515MB的低飽和電壓,可處理高達(dá)1A的峰值電流,并具有低至150 mV的超低飽和電壓。PMZB290UN等20~60V MOSFET具有低至250 mΩ的極低導(dǎo)通電阻,可降低導(dǎo)通損耗。

  在智能手機(jī)、MP3播放器、平板計算機(jī)和電子閱讀器等由電池驅(qū)動的小型超薄電子設(shè)備上,這些產(chǎn)品是各種功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)功能的理想之選。它們同樣適合類似于空間受限的非行動通訊型應(yīng)用,如LED電視機(jī)和汽車儀表盤。

  最新DFN1006B-3產(chǎn)品組合的電氣性能和散熱性能與采用SOT23、SOT323或SOT416等更大封裝的等效設(shè)備相同,可作1:1的替換。這就節(jié)省了寶貴的PCB空間,因?yàn)槌叽鐬?x0.6 mm(0402英寸)的無引腳封裝比SOT23要小10倍且高度還小于其一半。

  恩智浦半導(dǎo)體的雙極性小信號晶體管產(chǎn)品營銷經(jīng)理Joachim Stange表示:“在功率開關(guān)應(yīng)用的小型化競賽中,DFN1006可幫助工程師搶得先機(jī),并且很有可能取代SOT23成為新標(biāo)準(zhǔn)。通過提供業(yè)界最豐富的DFN1006產(chǎn)品組合以及大量供貨的能力,我們已為支持客戶順利過渡到采用這種超小型晶體管封裝做好了準(zhǔn)備。”

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