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真空斷路器絕緣特性的主要研究

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-21     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):122
核心提示:
  摘要: 真空斷路器處于合閘位置時,其對地絕緣由支持絕緣子承受,一旦真空斷路器所連接的線路發(fā)生永久接地故障,斷路器動作跳閘后,接地故障點又未被清除,則有電母線的對地絕緣亦要由該斷路器斷口的真空間隙承受;各種故障開斷時,斷口一對觸子間的真空絕緣間隙要耐受各種恢復(fù)電壓的作用而不發(fā)生擊穿。因此,真空間隙的絕緣特性成為提高滅弧室斷口電壓,使單斷口真空斷路器向高電壓等級發(fā)展的主要研究課題。
   真空斷路器處于合閘位置時,其對地絕緣由支持絕緣子承受,一旦真空斷路器所連接的線路發(fā)生永久接地故障,斷路器動作跳閘后,接地故障點又未被清除,則有電母線的對地絕緣亦要由該斷路器斷口的真空間隙承受;各種故障開斷時,斷口一對觸子間的真空絕緣間隙要耐受各種恢復(fù)電壓的作用而不發(fā)生擊穿。因此,真空間隙的絕緣特性成為提高滅弧室斷口電壓,使單斷口真空斷路器向高電壓等級發(fā)展的主要研究課題。
   真空度的表示方式
   絕對壓力低于一個大氣壓的氣體稀薄的空間,稱為真空空間,真空度越高即空間內(nèi)氣體壓強越低。真空度的單位有三種表示方式:托(即1個mm水銀柱高),毫巴(103bar)或帕(帕斯卡:Pa)。(1托=131。6Pa,1毫巴=100Pa)我們通常所說真空滅弧室內(nèi)部的真空度要達10-4托是指滅弧室內(nèi)的氣體壓強僅為"萬分之一mm水銀柱高",亦即是1。31x10-2Pa。
   “派森定理”亦有譯為“巴申定律”,是指間隙電壓耐受強度與氣體壓力之間的關(guān)系。圖1表示派森定理的關(guān)系曲線呈"V"字形,即充氣壓力的增加或降低,都能提高極間間隙絕緣強度。其擊穿機理至今還不清楚,因為真空滅弧室內(nèi)部真空度高于10-4托,這樣稀薄空氣的空間,氣體分子的自由行程為103mm,在真空滅弧室這么大小的容積內(nèi),發(fā)生碰撞的機率幾乎是零。因此不會發(fā)生碰撞游離而使真空間隙擊穿。派森定理的"V"形曲線是實驗得出的,條件是在均勻電場的情況下,其間隙擊穿電壓Uj可表示為:
   Uj=KLa
   L------間隙距離;
   a------間隙系數(shù)(間隙<5mm時a=1,>5mm時,a=0。5)
   由派森定理的"V"形關(guān)系曲線中看出,當(dāng)真空度達103托時出現(xiàn)拐點,拐點附近曲線變得平坦,擊穿電壓幾乎無變化。
   當(dāng)真空度和間隙距離相同時,其擊穿電壓則隨觸頭電極材料發(fā)生變化,電極材料機械強度高,熔點高時,真空間隙的擊穿電壓亦隨之提高。
   真空絕緣的破壞機理
   前面已說過,在真空滅弧室這樣高度真空度的空間內(nèi),氣體分子的自由行程很大,不會發(fā)生碰撞分離而使真空間隙在高壓電作用下會擊穿又是客觀存在,于是就有種解釋真空絕緣會破壞的機理,場致發(fā)射引起擊穿,微塊引起擊穿和微放電導(dǎo)致?lián)舸?BR>   場致發(fā)射論對真空間隙所以能發(fā)生擊穿的解釋
   間隙電場能量集中,在電極微觀表面的突出部分發(fā)生電子發(fā)射或蒸發(fā)逸出,撞擊陽極使局部發(fā)熱,繼續(xù)放出離子或蒸汽,正離子再撞擊陰極發(fā)生二次發(fā)射,相互不斷積累,最后導(dǎo)致間隙擊穿。
   著名的Fowler and Noraheim場發(fā)射電流I表達式為:
   I=AE2e-B/E
   式中 E------電場強度;
      A------常數(shù),與發(fā)射點的面積有關(guān);
      B------常數(shù),與電極表面的逸出有關(guān)。
   在小的間隙(<1mm)及短脈沖電壓情況下,可以合理地認為真空間隙擊穿是由場致發(fā)射引起的,但在長間隙及連續(xù)加壓與長脈沖電壓下,有的學(xué)者認為真空的擊穿尚存在其它機理:
  (1)陰極引起的擊穿;在強電場下,由于場發(fā)射電流的焦耳發(fā)熱效應(yīng),使陰極表面突出物的溫度升高,當(dāng)溫度達到臨界點時,突出物熔化產(chǎn)生蒸汽引起擊穿。
  (2)陽極引起的擊穿:由于陰極發(fā)射的電子束,轟擊陽極使某點發(fā)熱產(chǎn)生熔化和蒸汽而發(fā)生間隙擊穿。產(chǎn)生陽極引起擊穿的條件與電場提高系數(shù)和間隙距離有關(guān)。
   微塊引起擊穿的解釋
   假設(shè)在電極表面附著較輕松的微塊,在電場作用下,微塊脫落而且加速,這微塊撞擊對面的電極時,由于沖擊發(fā)熱可使其本身熔化產(chǎn)生蒸汽,引起擊穿。
   微放電導(dǎo)致真空間隙擊穿的解釋
   電極的陰極表面沾污,將發(fā)生微放電現(xiàn)象。微放電是一種小的自抑制熄滅的電流脈沖,它的總放電電荷3107C,存在時間由50ms到幾ms,放電一般發(fā)生在大于1mm的間隙中。
   這些真空間隙的擊穿機理表明,真空電極的材料與電極的表面狀況對真空間隙的絕緣都是非常關(guān)鍵的因素。
   真空間隙的絕緣耐受能力與在先的分合閘操作工況有關(guān)
   真空斷路器接觸間隙的擊穿電壓,因耐壓實驗前不同工況的分合閘操作有相應(yīng)的不同結(jié)果,意大利哥倫布(Colombo)工程師在設(shè)備討論會上有文論述過這方面的問題:試驗對象是24KV斷路器,銅鉻觸頭,額定開斷電流16KA,額定電流630A,觸頭開距15。8mm,觸頭分閘速度1。1m/s,合閘速度為0。6m/s。試驗程序列于表1。
   在關(guān)合---分閘操作(試驗系列2~5)后產(chǎn)生的最大擊穿電壓比空載循環(huán)(試驗系列1)后給出的數(shù)值低,這意味著觸頭擊穿距離受電弧電流的影響而減小;同時,系列2和系列5所測得的數(shù)值亦小于系列3和系列4的試驗值,而電流過零波形和極性似乎無明顯影響。試驗結(jié)果證實了開閉操作的形式對斷路器觸頭之間的絕緣耐受能力有影響,擊穿電壓在30~50kV范圍內(nèi),擊穿距離為0。6~2mm之間,擊穿時觸頭的電場強度為25~44kV。
   意大利哥倫布工程師上述實驗的結(jié)果表明,真空開關(guān)在開斷大電流后,其真空減小絕緣強度會下降是一種普遍現(xiàn)象。因此,我國早期的真空斷路器在開斷故障后,間隙絕緣會下降,達不到產(chǎn)品技術(shù)條件的絕緣水平,故能源部對戶內(nèi)高壓真空斷路器
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