開(kāi)關(guān)電源EMI整改頻段干擾原因及抑制辦法,開(kāi)關(guān)電源EMI整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法：1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主1.增大X電開(kāi)關(guān)電源EMI整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法： 

　　1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主 

　　1.增大X電容量； 

　　2.添加差模電感； 

　　3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。 

　　1MHZ---5MHZ---差模共�；旌� 

　　采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決， 

　　1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量; 

　　2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制； 

　　3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管1N4007。 

　　5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。 

　　對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用; 

　　可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán). 

　　處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。 

　　對(duì)于20--30MHZ， 

　　1.對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置； 

　　2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值； 

　　3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。 

　　4.改變PCB LAYOUT； 

　　5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感； 

　　6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)； 

　　7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE； 

　　8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。 

　　9. 可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻. 

　　30---50MHZ    普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起 

　　1.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻； 

　　2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管； 

　　3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決； 

　　4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感； 

　　5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路； 

　　6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE； 

　　7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容； 

　　8.PCB心LAYOUT時(shí)大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的��； 

　　9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。 

[$page]　　50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起 

　　1.可以在整流管上串磁珠； 

　　2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)； 

　　3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?nbsp;

　　4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。 

　　5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射. 

　　200MHZ以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn) 

　　補(bǔ)充說(shuō)明: 

　　開(kāi)關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述. 

　　開(kāi)關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB的元器件布局對(duì)EMI.,請(qǐng)密切注意此點(diǎn). 

　　開(kāi)關(guān)電源若有機(jī)械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對(duì)輻射有很大的影響.請(qǐng)密切注意此點(diǎn). 

　　主開(kāi)關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對(duì)EMC有一定的影響.