領域的市場領先者科銳公司日前宣布推出其最新低基面位錯（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1cm-2。這一新型低基面位錯材料的推出進一步體現(xiàn)了科銳長期以來對碳化硅材料技術的不斷投入和創(chuàng)新。

、功率器件和通訊器件產品的生產中，包括發(fā)光二級管（LED）、功率轉換器件以及無線通訊用射頻功率晶體管等。

解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領先者。科銳LED照明產品的優(yōu)勢體現(xiàn)在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術，擁有1,300多項美國專*、2,900多項國際專*和近390項中國專*（以上包括已授權和在審專*），使得科銳LED產品始終處于世界領先水平�？其J照明級大功率LED，具有光效高、色點穩(wěn)、壽命長等優(yōu)點�？其J在向客戶提供高質量、高可靠發(fā)光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案。科銳碳化硅金屬氧化物半導體場效應管開關器件（MOSFETSwitch）的導通電阻小、溫度系數(shù)穩(wěn)、漏電流低、開關時間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（SchottkyPowerDiode）零反向恢復電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統(tǒng)。